IV曲线测试：通过施加不同的电压并测量对应的电流，可以绘制出器件的电流-电压（IV）特性曲线。这有助于识别器件是否存在击穿、泄漏或导通问题。
CV曲线测试：电容-电压（CV）特性曲线测试可以评估器件的电容特性，这对于分析半导体材料的介电性质和结构缺陷非常重要。
温度效应测试：在不同温度下进行电参数测试，可以观察器件性能随温度的变化，从而评估器件的热稳定性。
脉冲测试：对器件施加短暂的电流或电压脉冲，并测量其响应，这有助于评估器件的动态特性和响应时间。
四线探头法：使用四线探头可以减少接触电阻和线阻的影响，从而获得更准确的电阻率测量结果。
动态电阻测试：通过测量器件在不同电流或电压下的电阻变化，可以评估器件的稳定性和可靠性。
高频参数测试：对于高频应用的半导体器件，参数分析仪可以测量其在高频条件下的性能，如最大振荡频率等。
栅极电荷测量：对于MOSFET等器件，测量栅极电荷有助于评估其开关速度和效率。
数据记录和分析：参数分析仪通常配备有软件，可以自动记录测试数据，并提供分析工具，帮助工程师快速识别和定位故障。
