电学特性分析：首先使用参数分析仪对半导体器件进行电学特性测试，如IV曲线、CV曲线测试，初步判断器件是否存在电学性能异常。
外观检查：通过光学显微镜对器件进行外观检查，观察器件表面是否有裂纹、破损、异物等明显的物理损伤。
联合分析：将参数分析仪的电学测试结果与光学显微镜的图像观察相结合，可以更准确地定位故障区域。例如，如果在电学测试中发现某个区域的电流异常，而光学显微镜下观察到该区域存在裂纹或破损，那么可以推断这些物理损伤可能是导致电学性能异常的原因。
失效模式分析：通过电学测试和光学显微镜检查确定失效模式，如开路、短路、参数漂移等。
进一步的微结构分析：对于电学性能异常但光学显微镜下未观察到明显物理损伤的器件，可以采用高分辨率的扫描电子显微镜（SEM）进行更深入的微结构分析，以发现可能的微观缺陷。
故障点精确定位：在某些情况下，参数分析仪可以与微光显微镜（Emission Microscope, EMMI）或激光扫描显微镜（LSM）等高级光学工具结合使用，以精确定位故障点。
数据关联分析：光学显微镜可以提供宏观层面的形貌信息，而参数分析仪提供电学特性数据，通过数据关联分析，可以更全面地理解器件的失效机理。
